《辰时依旧》千年伊始

35、后记 后记：

　　后记：
　　致敬所有的半导体行业的所有工作者：
　　国产半导体原材料突破清单
　　2021年
　　· 2021年 — KrF光刻胶 — 用于0.25-0.15微米芯片电路图形的精密描绘。
　　· 2021年 — 高纯钽靶材 — 用于130-28纳米芯片的金属导线沉积。
　　· 2021年 — 超高纯铜靶材 — 用于14纳米以下芯片的互连导线沉积。

　　2022年
　　· 2022年 — ArF光刻胶 — 用于90-28纳米先进制程芯片的图形化。
　　· 2022年 — 高纯氟碳类气体 — 用于7纳米/5纳米芯片的先进刻蚀工艺。
　　· 2022年 — 超高纯铝靶材 — 用于5纳米及更先进芯片的金属互连。

　　2023年
　　· 2023年 — CMP抛光垫 — 用于芯片制造中多层结构的全局平坦化。
　　· 2023年 — 电子级氧化铈抛光液 — 用于芯片介质层的高效、无损伤抛光。
　　· 2023年 — 高纯氮化铝粉末 — 用于制备高导热、高绝缘的陶瓷基板。

　　2024年
　　· 2024年 — KrF光刻胶（T150A型） — 实现更高分辨率与工艺窗口，对标国际主流产品。
　　· 2024年 — 光刻用激光气体（混合气） — 用于光刻机内产生极紫外（EUV）激光。
　　· 2024年 — 8英寸氧化镓单晶衬底 — 用于制造下一代超高压、低损耗功率芯片。

　　2025年
　　· 2025年 — 化学放大光刻胶（EUV用） — 为7纳米以下极紫外光刻工艺提供关键材料基础。
　　· 2025年 — 纳米氧化铈抛光液 — 将芯片抛光速率提升25%以上，满足更苛刻制程需求。
　　· 2025年 — 3英寸氮化铝单晶衬底 — 用于制造高性能的深紫外光电器件与芯片。
　　· 2025年 — 超高纯锰靶材 — 用于先进芯片中铜互连层的阻挡层，防止电迁移。

　　媛媛事件-
　　华*公司孟女士在加拿大被非法拘押1028天的真实事件。这并非单纯的司法案件，而是美国滥用国家力量，以政治操弄手段无理打压中国高科技企业、企图遏制中国科技发展的缩影。民营企业及其管理者的合法权益不容侵犯，这种霸权行径只会更加坚定我国自主创新的决心。革命尚未成功，同志仍需努力。